創(chuàng)新器件采用七種緊湊的外形尺寸，具有200nA的超低DCL和固有的高可靠性、篩選選項，包括針對關鍵的醫(yī)療和軍工/航天應用的weibull失效率分級Vishay推出新款TM8系列高可靠性、表面貼裝、具有低至200nA的超低直流泄露電流（DCL）的鉭電容器。
在早期的醫(yī)療設備平臺中，直流泄漏僅僅是尚可的水平，然而現(xiàn)在則要求更低的直流泄漏。通過使用Vishay獨有的多陣列封裝（MAP），新的TM8器件顯著降低了直流漏電，并實現(xiàn)了更好的穩(wěn)定性。借助專利的MAP組裝技術，TM8電容器為在這些應用中實現(xiàn)盡可能高的可靠性和效率提供了一個健全的設計。此外，器件遵照MIL-PRF-55365標準進行了嚴格的處理和測試。
在7種緊湊的外形尺寸內，TM8系列提供從1UF/40V至47UF/10V的容量-電壓（CV）等級范圍。電容器很適合植入式醫(yī)療設備、醫(yī)療儀器及軍工/航天系統(tǒng)等關鍵應用中對長期性能的要求。TM8器件還具有特殊的篩選和為特定應用定制的選項。
Vishay鉭電容為諸多設備中的濾波、耦合/解耦、直流阻塞和儲能應用進行了優(yōu)化，如起搏器、ICD、神經(jīng)刺激器、助聽器和人工耳蝸等醫(yī)療設備；病人監(jiān)護設備、自動給藥系統(tǒng)、成像和診斷設備等醫(yī)療儀器；軍用和航天混合微電路/多芯片模塊、智能軍需在、GPS系統(tǒng)、傳感器及手持式便攜電子系統(tǒng)。
為保證在苛刻環(huán)境中的可靠性和長期性能，Vishay提供了在+85度下40小時的老化階段或weibull分級B級，利用這兩種篩選方法能夠達到0.1%的失效率。浪涌電流選項包括選項A（在+25度進行10個循環(huán)）和選項B（在-55度/+85度下進行10個循環(huán)）。Vishay使用專用生產(chǎn)線生產(chǎn)這些電容器，并有經(jīng)驗豐富員工確保在生產(chǎn)過程中各個環(huán)節(jié)的生產(chǎn)質量。電容器采用緊湊的L、M、N、P、R、T和W外形代碼，是空間受限的便攜式/植入式應用的絕佳選擇，同時其低DCL確保高效運行并延長電池壽命。TM8的L形接頭允許采用高級電路板安裝，在最終用戶的量產(chǎn)中可對焊錫的圓角進行視覺檢查（或自動光學檢查）。
這些符合Rohs的器件的工作溫度為-55度至+85度，電壓降級情況下的溫度可達+125度，電壓范圍為2WVDC-40WVDC。
TM8電容器采用符合per EIA-481-1標準的卷帶包裝，現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。
信息來源：鉭電容
